STL17N65M5

ST | 单端场效应管

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT

原厂封装：PowerFlat

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ST意法半导体公司完整型号：STL17N65M5

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT

系列：MDmesh V

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：650V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.8A（Ta），10A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：374 毫欧 @ 5.5A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：22nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：816pF @ 100V

功率 - 最大值：2.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-PowerFlat HV

供应商器件封装：PowerFlat （8x8） HV

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