STL20DN10F7

ST | 场效应管阵列

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 100V 5A POWERFLAT56

原厂封装：PowerFlat

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ST意法半导体公司完整型号：STL20DN10F7

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 100V 5A POWERFLAT56

系列：DeepGATE， STripFET VII

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：20A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：67 毫欧 @ 2.5A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：408pF @ 50V

功率 - 最大值：62.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：PowerFlat（5x6）

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单端场效应管

单路IGBT

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