STP18N65M2

ST | FET - 单

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 650V 12A TO220

原厂封装：TO-220-3

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ST意法半导体公司完整型号: STP18N65M2

制造厂家名称: STMicroelectronics

功能总体简述: MOSFET N-CH 650V 12A TO220

系列: MDmesh M2

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 12A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 330 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 20nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 770pF @ 100V

功率 - 最大值: 110W

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220

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