STP26NM60ND

ST | 单端场效应管

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 600V 21A TO220

原厂封装：TO-220

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ST意法半导体公司完整型号：STP26NM60ND

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 21A TO220

系列：FDmesh? II

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：21A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：175 毫欧 @ 10.5A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：54.6nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1817pF @ 100V

功率 - 最大值：190W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220

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