STS19N3LLH6

ST | 单端场效应管

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC

原厂封装：8-SO

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ST意法半导体公司完整型号：STS19N3LLH6

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC

系列：DeepGATE， STripFET VI

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：19A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.6 毫欧 @ 9.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17nC @ 15V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1690pF @ 25V

功率 - 最大值：2.7W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

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