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K6T1008C2E-GF70000代理

K6T1008C2E-GF70000

Samsung | SRAM存储器IC
制造厂商:Samsung(三星半导体)
功能简述:DARM芯片
原厂封装:出厂封装
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  • 三星芯片公司原厂型号:K6T1008C2E-GF70000
  • 存储器结构:1M×8
  • 速度:70ns
  • 电源电压:5V
  • 包装:SOP
  • 环保标准:
  • 耐智电子是国内领先的K6T1008C2E-GF70000供应商
  • K6T1008C2E-GF70000供应商-耐智电子
  • Samsung
    K6T1008V2E-GB55
  • Samsung
    K6T1008C2C-GB70
  • SRAM存储器IC
    K7A801800B-QC16
  • 存储芯片
    K9K8G08U0A-PCB0
  • 存储芯片
    K6R1008C1D-TI12
  • DRAM存储器IC
    K4D263238F-QC50
  • K6T1008C2E-GF70000是Samsung三星半导体公司的一款产品,Samsung代理商耐智电子全程提供K6T1008C2E-GF70000现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的K6T1008C2E-GF70000供应商。

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