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CSD17579Q3AT代理

CSD17579Q3AT

TI | 单端场效应管
制造厂商:TI(德州仪器)
功能简述:MOSFET N-CH 30V 35A QFN
原厂封装:8-VSONP
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  • TI德州仪器公司完整型号:CSD17579Q3AT
  • 制造厂家名称:Texas Instruments
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 35A QFN
  • 系列:NexFET?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):20A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):10.2 毫欧 @ 8A, 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):998pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:3.2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装:8-VSONP (3x3.15)
  • 耐智电子是国内领先的CSD17579Q3AT供应商
  • CSD17579Q3AT供应商-耐智电子
  • TI
    CSD19536KCS
  • TI
    CSD19503KCS
  • DC-DC变换器
    PT4481N
  • 电压基准芯片
    LM4050AIM3-2.0/NOPB
  • 栅极和逆变器芯片
    74AHCT1G04DBVTE4
  • 缓冲器,驱动器,接收器,收发器芯片
    SN74AHCT541DW
  • CSD17579Q3AT是TI德州仪器公司的一款产品,TI代理商耐智电子全程提供CSD17579Q3AT现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的CSD17579Q3AT供应商。

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