CSD19531Q5AT

TI | 单端场效应管

制造厂商：TI（德州仪器）

功能简述：MOSFET N-CH 100V 100A 8SON

原厂封装：8-VSON

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TI德州仪器公司完整型号：CSD19531Q5AT

制造厂家名称：Texas Instruments

描述：MOSFET N-CH 100V 100A 8SON

系列：NexFET?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6.4 毫欧 @ 16A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：48nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3870pF @ 50V

功率 - 最大值：3.3W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

供应商器件封装：8-VSON （5x6）

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