CSD19536KCS

TI | 单端场效应管

制造厂商：TI（德州仪器）

功能简述：MOSFET N-CH 100V TO-220

原厂封装：TO-220-3

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TI德州仪器公司完整型号：CSD19536KCS

制造厂家名称：Texas Instruments

描述：MOSFET N-CH 100V TO-220

系列：NexFET?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：150A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.7 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：153nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：12000pF @ 50V

功率 - 最大值：375W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220-3

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