CSD85312Q3E_CSD85312Q3E供应商_TI代理商耐智电子

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TI德州仪器公司完整型号：CSD85312Q3E

制造厂家名称：Texas Instruments

描述：MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

系列：NexFET?

FET 类型：2?N 沟道（双）共源

FET 功能：逻辑电平栅极，5V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：39A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12.4 mOhm @ 10A, 8V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2390pF @ 10V

功率 - 最大值：2.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：8-SON（3.3x3.3）

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CSD85312Q3E供应商-耐智电子

DC-DC变换器

电压基准芯片

温度传感器

缓冲器，驱动器，接收器，收发器芯片

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