CSD87312Q3E

TI | 场效应管阵列

制造厂商：TI（德州仪器）

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON

原厂封装：8-SON

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TI德州仪器公司完整型号：CSD87312Q3E

制造厂家名称：Texas Instruments

描述：MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON

系列：NexFET?

FET 类型：2?N 沟道（双）共源

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：27A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：33 毫欧 @ 7A， 8V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1250pF @ 15V

功率 - 最大值：2.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：8-SON（3.3x3.3）

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