CSD87334Q3DT

TI | FET - 阵列

制造厂商：TI（德州仪器）

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON

原厂封装：*

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TI德州仪器公司完整型号: CSD87334Q3DT

制造厂家名称: Texas Instruments

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON

系列: NexFET?

FET 类型: 2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: -

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 6 毫欧 @ 12A，8V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 8.3nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1260pF @ 15V

功率 - 最大值: 6W

安装类型: *

封装/外壳: *

供应商器件封装: *

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