TPS1101DG4

TI | 单端场效应管

制造厂商：TI（德州仪器）

功能简述：MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

原厂封装：8-SOIC

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TI德州仪器公司完整型号：TPS1101DG4

制造厂家名称：Texas Instruments

描述：MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：15V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.3A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 2.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11.25nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：791mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

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