2SA1930(Q,M)

Toshiba | 单路晶体管(BJT)

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：TRANS PNP 180V 2A TO220NIS

原厂封装：TO-220NIS

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东芝半导体公司完整型号：2SA1930(Q,M)

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：TRANS PNP 180V 2A TO220NIS

系列：-

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2A

电压 - 集射极击穿（最大值）：180V

不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：1V @ 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）：-

不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 100mA，5V

功率 - 最大值：2W

频率 - 跃迁：200MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 整包

供应商器件封装：TO-220NIS

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2SA1930(Q,M)供应商-耐智电子

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栅极和逆变器芯片

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单路﹐预偏压式晶体管

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