2SA1955FVBTPL3Z

Toshiba | 单路晶体管(BJT)

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：TRANS PNP 12V 0.4A VESM

原厂封装：VESM

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东芝半导体公司完整型号：2SA1955FVBTPL3Z

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：TRANS PNP 12V 0.4A VESM

系列：-

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：400mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：12V

不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 10mA，200mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：300 @ 10mA，2V

功率 - 最大值：100mW

频率 - 跃迁：130MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-723

供应商器件封装：VESM

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2SA1955FVBTPL3Z供应商-耐智电子

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