2SK1930(TE24L,Q)

Toshiba | 单端场效应管

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 1000V 4A TO220SM

原厂封装：TO-220SM

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东芝半导体公司完整型号：2SK1930(TE24L,Q)

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 1000V 4A TO220SM

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.8 欧姆 @ 2A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：60nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：700pF @ 25V

功率 - 最大值：100W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：TO-220SM

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2SK1930(TE24L,Q)供应商-耐智电子

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