2SK3667(Q)

Toshiba | 单端场效应管

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS

原厂封装：TO-220SIS

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东芝半导体公司完整型号：2SK3667(Q)

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7.5A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1 欧姆 @ 4A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：33nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1300pF @ 25V

功率 - 最大值：45W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 整包

供应商器件封装：TO-220SIS

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2SK3667(Q)供应商-耐智电子

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