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东芝半导体公司完整型号：2SK879-GR(TE85L,F)制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage描述：JFET N-CH USM系列：-FET 类型：N 沟道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-漏源极电压 (Vdss)：-不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：2.6mA @ 10V漏极电流 (Id) - 最大值：-不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：400mV @ 100nA不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8.2pF @ 10V电阻 - RDS（开）：-安装类型：表面贴装封装/外壳：SC-70，SOT-323供应商器件封装：USM功率 - 最大值：100mW耐智电子是国内领先的2SK879-GR(TE85L,F)供应商 
