CMZB33(TE12L,Q)

Toshiba | 单齐纳二极管

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：DIODE ZENER 33V 1W MFLAT

原厂封装：M-FLAT

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东芝半导体公司完整型号：CMZB33(TE12L,Q)

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：DIODE ZENER 33V 1W MFLAT

系列：-

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：33V

容差：±10%

功率 - 最大值：1W

阻抗（最大值）(Zzt)：30 欧姆

不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：10μA @ 26.4V

不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：1.2V @ 200mA

工作温度：-40°C ~ 150°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOD-128

供应商器件封装：M-FLAT（2.4x3.8）

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CMZB33(TE12L,Q)供应商-耐智电子

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运算放大器，缓冲放大器芯片

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