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东芝半导体公司完整型号:GT10G131(TE12L,Q)制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage描述:IGBT 400V 1W 8-SOIC系列:-IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):400V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):-Current - Collector Pulsed (Icm):200A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.3V @ 4V, 200A功率 - 最大值:1WSwitching Energy:-输入类型:标准Gate Charge:-25°C 时 Td(开/关)值:3.1μs/2μsTest Condition:-反向恢复时间 (trr):-封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-SOP(5.5x6.0)耐智电子是国内领先的GT10G131(TE12L,Q)供应商