HN1B01FU-Y(L,F,T)

Toshiba | 晶体管阵列

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

原厂封装：US6

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东芝半导体公司完整型号：HN1B01FU-Y(L,F,T)

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

系列：-

晶体管类型：NPN，PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 2mA，6V

功率 - 最大值：200mW

频率 - 跃迁：120MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：US6

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HN1B01FU-Y(L,F,T)供应商-耐智电子

Toshiba

Toshiba

阵列﹐预偏压式晶体管

栅极和逆变器

单端场效应管

单路﹐预偏压式晶体管

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