HN1C01FE-Y,LF

Toshiba | 晶体管（BJT） - 阵列

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

原厂封装：SOT-563

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东芝半导体公司完整型号: HN1C01FE-Y,LF

制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage

功能总体简述: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

系列: -

晶体管类型: 2 NPN（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 250mV @ 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 120 @ 2mA，6V

功率 - 最大值: 100mW

频率 - 跃迁: 80MHz

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: SOT-563，SOT-666

供应商器件封装: ES6

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