RN1110MFV(TL3,T)

Toshiba | 单路﹐预偏压式晶体管

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

原厂封装：VESM

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东芝半导体公司完整型号：RN1110MFV(TL3,T)

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

系列：-

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：4.7k

电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：-

不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 1mA，5V

不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 500μA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

频率 - 跃迁：-

功率 - 最大值：150mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-723

供应商器件封装：VESM

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