SSM3J35MFV(TL3,T)

Toshiba | 单端场效应管

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM

原厂封装：VESM

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东芝半导体公司完整型号：SSM3J35MFV(TL3,T)

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，1.2V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 欧姆 @ 50mA，4V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：12.2pF @ 3V

功率 - 最大值：150mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-723

供应商器件封装：VESM

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SSM3J35MFV(TL3,T)供应商-耐智电子

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