SSM3K329R,LF

Toshiba | 单端场效应管

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A

原厂封装：SOT-23F

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东芝半导体公司完整型号：SSM3K329R,LF

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.5A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：126 毫欧 @ 1A，4V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.5nC @ 4V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：123pF @ 15V

功率 - 最大值：1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-3 扁平引线

供应商器件封装：SOT-23F

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