SSM6H19NU,LF

Toshiba | 单端场效应管

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

原厂封装：6-UDFN

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东芝半导体公司完整型号：SSM6H19NU,LF

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：40V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：185 毫欧 @ 1A， 8V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.2nC @ 4.2V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：130pF @ 10V

功率 - 最大值：1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-UDFN （2x2）

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SSM6H19NU,LF供应商-耐智电子

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