SSM6J505NU,LF

Toshiba | 单端场效应管

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B

原厂封装：6-UDFN

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东芝半导体公司完整型号：SSM6J505NU,LF

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，1.2V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：12V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：12A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12 毫欧 @ 4A， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：37.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2700pF @ 10V

功率 - 最大值：1.25W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-UDFN （2x2）

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SSM6J505NU,LF供应商-耐智电子

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