SSM6K202FE,LF

Toshiba | 单端场效应管

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：MOSFET N-CH SGL 30V 2.3A ES6

原厂封装：ES6

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东芝半导体公司完整型号：SSM6K202FE,LF

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH SGL 30V 2.3A ES6

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，1.5V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.3A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：85 毫欧 @ 1.5A，4V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：270pF @ 10V

功率 - 最大值：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商器件封装：ES6（1.6x1.6）

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SSM6K202FE,LF供应商-耐智电子

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单端场效应管

阵列﹐预偏压式晶体管

逻辑输出光隔离器

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