SSM6N55NU,LF(T

Toshiba | 场效应管阵列

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

原厂封装：6-μDFN

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东芝半导体公司完整型号：SSM6N55NU,LF(T

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：46 毫欧 @ 4A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：280pF @ 15V

功率 - 最大值：1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-μDFN（2x2）

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SSM6N55NU,LF(T供应商-耐智电子

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