SSM6N58NU,LF

Toshiba | 场效应管阵列

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

原厂封装：6-UDFN

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东芝半导体公司完整型号：SSM6N58NU,LF

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：84毫欧 @ 2A， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.8nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：129pF @ 15V

功率 - 最大值：1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-UDFN （2x2）

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SSM6N58NU,LF供应商-耐智电子

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