SSM6P49NU,LF

Toshiba | FET - 阵列

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A

原厂封装：6-WDFN

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东芝半导体公司完整型号: SSM6P49NU,LF

制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage

功能总体简述: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A

系列: -

FET 类型: 2 个 P 沟道（双）

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 4A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 45 毫欧 @ 3.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 6.74nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 480pF @ 10V

功率 - 最大值: 1W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: 6-UDFN（2x2）

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SSM6P49NU,LF供应商-耐智电子

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