TH58BYG2S3HBAI6

Toshiba | 存储器

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：EEPROM SLC 4GB NAND 24NM 67FBGA

原厂封装：67-VFBGA

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东芝半导体公司完整型号: TH58BYG2S3HBAI6

制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage

功能总体简述: EEPROM SLC 4GB NAND 24NM 67FBGA

系列: Benand

格式 - 存储器: EEPROMs - 串行

存储器类型: EEPROM - NAND

存储容量: 4G（512M x 8）

速度: 25ns

接口: 并联

电压 - 电源: 1.7 V ~ 1.95 V

工作温度: -40°C ~ 85°C

封装/外壳: 67-VFBGA

供应商器件封装: 67-VFBGA（6.5x8）

耐智电子是国内领先的TH58BYG2S3HBAI6供应商

TH58BYG2S3HBAI6供应商-耐智电子

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