TK100L60W,VQ

Toshiba | 单端场效应管

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)

原厂封装：TO-3P

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东芝半导体公司完整型号：TK100L60W,VQ

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：超级结

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：18 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：360nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：15000pF @ 30V

功率 - 最大值：797W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3PL

供应商器件封装：TO-3P（L）

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TK100L60W,VQ供应商-耐智电子

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