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TK12V60W,LVQ代理

TK12V60W,LVQ

Toshiba | 单端场效应管
制造厂商:Toshiba(东芝半导体)
功能简述:MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
原厂封装:5-DFN
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  • 东芝半导体公司完整型号:TK12V60W,LVQ
  • 制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:超级结
  • 漏源极电压 (Vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):11.5A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):300 毫欧 @ 5.8A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 600μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):890pF @ 300V
  • 功率 - 最大值:104W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:4-VSFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装:5-DFN (8x8)
  • 耐智电子是国内领先的TK12V60W,LVQ供应商
  • TK12V60W,LVQ供应商-耐智电子
  • Toshiba
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  • Toshiba
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  • 霍尔效应磁性传感器IC
    TCS10NLU(TE85L,F)
  • 单端场效应管
    TK50J60U(Q)
  • 单路﹐预偏压式晶体管
    RN1103MFV(TPL3)
  • TK12V60W,LVQ是Toshiba东芝半导体公司的一款产品,Toshiba代理商耐智电子全程提供TK12V60W,LVQ现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的TK12V60W,LVQ供应商。

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