TK31J60W,S1VQ

Toshiba | 单端场效应管

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)

原厂封装：TO-3P

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东芝半导体公司完整型号：TK31J60W,S1VQ

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：超级结

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：30.8A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：88 毫欧 @ 15.4A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 1.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：86nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3000pF @ 300V

功率 - 最大值：230W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装：TO-3P（N）

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TK31J60W,S1VQ供应商-耐智电子

Toshiba

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