TK9J90E,S1E

Toshiba | 单端场效应管

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 900V TO-3PN

原厂封装：TO-3P

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东芝半导体公司完整型号：TK9J90E,S1E

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 900V TO-3PN

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：900V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.3 欧姆 @ 4.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 900μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：46nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2000pF @ 25V

功率 - 最大值：250W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装：TO-3P（N）

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TK9J90E,S1E供应商-耐智电子

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