TPC8207(TE12L,Q)

Toshiba | 场效应管阵列

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP

原厂封装：8-SOP

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东芝半导体公司完整型号：TPC8207(TE12L,Q)

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 4.8A，4V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 200μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：22nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2010pF @ 10V

功率 - 最大值：450mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）

供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）

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