TPC8221-H,LQ(S

Toshiba | 场效应管阵列

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP

原厂封装：8-SOP

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东芝半导体公司完整型号：TPC8221-H,LQ(S

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：25 毫欧 @ 3A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：830pF @ 10V

功率 - 最大值：450mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOP

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TPC8221-H,LQ(S供应商-耐智电子

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