TPH8R80ANH,L1Q

Toshiba | 单端场效应管

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP

原厂封装：8-SOP

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东芝半导体公司完整型号：TPH8R80ANH,L1Q

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：32A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.8 毫欧 @ 16A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 500μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：33nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2800pF @ 50V

功率 - 最大值：61W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：8-SOP 高级

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TPH8R80ANH,L1Q供应商-耐智电子

Toshiba

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