TPN22006NH,LQ

Toshiba | 单端场效应管

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON

原厂封装：8-TSON高级

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东芝半导体公司完整型号：TPN22006NH,LQ

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：22 毫欧 @ 4.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：710pF @ 30V

功率 - 最大值：18W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：8-TSON高级

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