TPN4R712MD,L1Q

Toshiba | FET - 单

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV

原厂封装：8-PowerVDFN

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东芝半导体公司完整型号: TPN4R712MD,L1Q

制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage

功能总体简述: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV

系列: -

FET 类型: MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 36A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 4.7 毫欧 @ 18A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 65nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 4300pF @ 10V

功率 - 最大值: 42W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: 8-TSON高级

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TPN4R712MD,L1Q供应商-耐智电子

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