IRFBE30

Vishay | 单端场效应管

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

原厂封装：TO-220AB

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Vishay威世半导体原厂型号：IRFBE30

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：800V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.1A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 2.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：78nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1300pF @ 25V

功率 - 最大值：125W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220AB

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