IRFDC20

Vishay | 单端场效应管

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP

原厂封装：4-DIP

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Vishay威世半导体原厂型号：IRFDC20

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：320mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.4 欧姆 @ 190mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：350pF @ 25V

功率 - 最大值：1W

安装类型：通孔

封装/外壳：4-DIP（0.300"，7.62mm）

供应商器件封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP

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