SI3585DV-T1-GE3

Vishay | 场效应管阵列

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

原厂封装：6-TSOP

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Vishay威世半导体原厂型号：SI3585DV-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

系列：TrenchFET

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2A，1.5A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：125 毫欧 @ 2.4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：600mV @ 250μA（最小）

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：830mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装：6-TSOP

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