SI4286DY-T1-GE3

Vishay | 场效应管阵列

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

原厂封装：8-SO

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Vishay威世半导体原厂型号：SI4286DY-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

系列：TrenchFET

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：40V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：32.5 毫欧 @ 8A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：375pF @ 20V

功率 - 最大值：2.9W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

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SI4286DY-T1-GE3供应商-耐智电子

Vishay

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单端场效应管

二极管TVS

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