SI4487DY-T1-GE3

Vishay | 单端场效应管

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC

原厂封装：8-SO

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Vishay威世半导体原厂型号：SI4487DY-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC

系列：TrenchFET

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11.6A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：20.5 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：36nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1075pF @ 15V

功率 - 最大值：5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

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