SI4670DY-T1-E3

Vishay | 场效应管阵列

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

原厂封装：8-SO

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Vishay威世半导体原厂型号：SI4670DY-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

系列：TrenchFET

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：25V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：23 毫欧 @ 7A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：680pF @ 13V

功率 - 最大值：2.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

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SI4670DY-T1-E3供应商-耐智电子

Vishay

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