SI4936BDY-T1-GE3

Vishay | 场效应管阵列

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

原厂封装：8-SO

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Vishay威世半导体原厂型号：SI4936BDY-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

系列：TrenchFET

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6.9A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 5.9A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：530pF @ 15V

功率 - 最大值：2.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

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