SI5475DC-T1-GE3

Vishay | 单端场效应管

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8

原厂封装：1206-8

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Vishay威世半导体原厂型号：SI5475DC-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8

系列：TrenchFET

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：12V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.5A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：31 毫欧 @ 5.5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：450mV @ 1mA（最小）

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：29nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：1.3W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

供应商器件封装：1206-8 ChipFET

耐智电子是国内领先的SI5475DC-T1-GE3供应商

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