SI6463BDQ-T1-E3

Vishay | 单端场效应管

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

原厂封装：8-TSSOP

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Vishay威世半导体原厂型号：SI6463BDQ-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

系列：TrenchFET

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6.2A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：15 毫欧 @ 7.4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：60nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：1.05W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

供应商器件封装：8-TSSOP

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SI6463BDQ-T1-E3供应商-耐智电子

Vishay

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